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鈦鋯靶

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鈦鋯靶

產品屬性

  • 所屬分類:鈦鋯靶
  • 產品編號:1562387037
  • 瀏覽次數:0
  • 發布日期:2019-07-11
  • 產品概述
  • 性能特點
  • 技術參數

鈦鋯靶

鈦鋯靶主要性能要求:

純度

純度是靶材的主要性能指標之一,因為靶材的純度對薄膜的性能影響很大。不過在實際應用中,對靶材的純度要求也不盡相同。例如,隨著微電子行業的迅速發展,矽片尺寸由6", 8"發展到12", 而布線寬度由0.5um減小到0.25um,0.18um甚至0.13um,以前99.995%的靶材純度可以滿足0.35umIC的工藝要求,而製備0.18um線條對靶材純度則要求99.999%甚至99.9999%。

雜質含量

   靶材固體中的雜質和氣孔中的氧氣和水氣是沉積薄膜的主要汙染源。不同用途的靶材對不同雜質含量的要求也不同。例如,半導體工業用的純鋁及鋁合金靶材,對堿金屬含量和放射性元素含量都有特殊要求。

密度

  為了減少靶材固體中的氣孔,鈦鋯靶廠家提高濺射薄膜的性能,通常要求靶材具有較高的密度。靶材的密度不僅影響濺射速率,還影響著薄膜的電學和光學性能。靶材密度越高,薄膜的性能越好。此外,提高靶材的密度和強度使靶材能更好地承受濺射過程中的熱應力。密度也是靶材的關鍵性能指標之一。

晶粒尺寸及晶粒尺寸分布

通常靶材為多晶結構,晶粒大小可由微米到毫米量級。對於同一種靶材,晶粒細小的靶的濺射速率比晶粒粗大的靶的濺射速率快;而晶粒尺寸相差較小(分布均勻)的靶濺射沉積的薄膜的厚度分布更均勻。

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